Общая характеристика подпиточных процессов

Общая характеристика подпиточных процессов

Управление геометрическими параметрами зоны для изготовления запрограммированных неоднородностей еще никем не использовалось. Таким образом, практическую реализацию получило только программирование скорости роста. Этот способ программирования применялся в основном при вытягивании кристаллов из расплава, хотя в ряде работ и обсуждались приемы изготовления р—n-переходов изменением скорости роста при зонной плавке. Активное воздействие на систему с помощью подпитки Общая характеристика подпиточных процессов.

Подпиточные процессы основаны на введении в расплав дополнительных порций материала. Во многих из них возможность произвольно регулировать подачу подпитывающего материала позволяет сделать процесс активным. Во многих из них возможность произвольно регулировать подачу подпитывающего материала позволяет сделать процесс активным.

Остальные случаи, основанные на предварительном подборе условий, могут быть отнесены к группе методов расчетных параметров. Система подпитки в наиболее общем виде складывается из следующих элементов: растущий кристалл, расплав и поступающая в него подпитывающая масса. Эти же элементы имеются и в зонной плавке, с которой методы подпитки имеют много общего.

Эта общность очень удобна, так как позволяет воспользоваться для описания подпитки рядом результатов теории зонной плавки.

Уникальные игры для девочек вас ждут на http://www.games-girll.com/%D1%80%D1%83%D1%81%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9/%D0%BC%D1%83%D0%B7%D1%8B%D0%BA%D0%B0/. Они помогут вам прекрасно провести свое свободное время.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: