Образование сплошных энергетических полос

Образование сплошных энергетических полос

При сильной же связи, которая существует в кристалле между атомами, эти уровни расщепляются, причем разность между ними оказывается ничтожно малой, а число расщепленных подуровней — огромным. Все это ведет к образованию сплошных энергетических полос, называемых обычно зонами. Энергетический спектр идеального полупроводника состоит из трех четко выраженных участков, называемых в порядке возрастания уровня энергии валентной зоной I, запрещенной зоной II и зоной проводимости III. Энергетические состояния электронов в I и III зонах образуют, как это было только что сказано, практически непрерывные спектры собственных значений энергии. В валентной зоне электроны сильно связаны со своими атомами; в зоне же проводимости, наоборот, эта связь слабая и электроны свободно перемещаются в ней от атома к атому.

В валентной зоне электроны сильно связаны со своими атомами; в зоне же проводимости, наоборот, эта связь слабая и электроны свободно перемещаются в ней от атома к атому. Возбуждение электронов полупроводника состоит во введении (инжекции) носителей зарядов в область р-п перехода полупроводникового диода, т.е. путем пропускания в прямом направлении большого тока. При этом электронам, находящимся в валентной зоне, сообщается дополнительная энергия. Таким образом, каждый возбужденный электрон переходит на более высокий уровень, расположенный в зоне проводимости.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: